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商品編號：	DMC2043

商品名稱：	edu磨課師+ 下世代能量轉換技術講師:吳添立國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授影音教學中文發音繁體中文版(DVD版)

商品分類：	edu磨課師課程綜合教學

語系版本：	中文發音繁體中文版

官方網站：	https://xyz88.app

運行平台：	官方原版畫質MP4檔,沒有任何平台限制,終身使用

更新日期：	2025-05-01

光碟片數：	1片DVD光碟

銷售價格：	$100元

熱門標籤：	下世代能量轉換技術吳添立副教授

edu磨課師+ 下世代能量轉換技術講師:吳添立國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授影音教學中文發音繁體中文版(DVD版)

內容說明:

【課程簡介】
開課學校/機構:國立陽明交通大學
課程發展年度:2023
課程類別:應用科學_奈米科技

本課程將介紹氮化鎵及碳化矽半導體材料特性，並簡介氮化鎵及碳化矽功率元件結構及操作原理
【先備能力】
半導體元件物理
【學習目標】
學習過本課程後，學員可習得以下能力：
(1) 理解功率半導體技術
(2) 了解氮化鎵及碳化矽材料特性
(3) 具有分析氮化鎵及碳化矽功率元件能力
【授課教師】
吳添立

任職單位
國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授

簡述
研究領域
1. 應用於節能功率及通訊B5G/6G的下世代高可靠度氮化鎵/碳化矽電子元件
2. 5nm以下高可靠度半導體元件設計及製作
3. 前瞻半導體元件可靠度評估及失效機制分析
4. 人工智慧於半導體元件設計及可靠度評估

課程內容:

001_1-1-1-Introduction.mp4
002_1-1-2-Efficiency,-converter.mp4
003_1-1-3-Single-pole-Double-Throw-(SPDT)-Switch.mp4
004_1-2-1-The-evolution-of-power-semiconductor.mp4
005_1-2-2-Power-semiconductor.mp4
006_1-2-3-Ideal-vs.-typical-power-device-characristics.mp4
007_1-3-1-Advantages-of-wide-bandgap-materials.mp4
008_2-1-2-The-relationship-of-the-bandgap-and-lattice-constant.mp4
009_2-1-3-High-sheet-charge-density.mp4
010_2-2-1-GaN-epitaxy-and-high-electron-mobility-transistors.mp4
011_2-2-2-Gating-layer-growth.mp4
012_2-2-3-Large-epiwafer.mp4
013_2-2-4-Why-growing-GaN-layer-on-Si-is-so-difficult.mp4
014_2-2-5-Growth-on-SiC.mp4
015_2-2-6-The-HEMT.mp4
016_2-3-Summary.mp4
017_3-1-1-Introduction.mp4
018_3-1-2-E-mode-technologies-in-lateral-GaN-HEMTs.mp4
019_3-1-3-E-mode-by-top-band-diagram-engineering.mp4
020_3-1-4-Regrown-p-GaN-gate-HEMTs-with-high-Vth.mp4
021_3-1-5-Cascode-approach.mp4
022_3-1-6-Typical-process-for-E-mode-p-GaN-HEMTs.mp4
023_3-2-1-Challenges-and-development-trends-in-GaN-power-devices.mp4
024_3-2-2-CMOS-compatible-Au-free-processing.mp4
025_3-2-3-Power-switching-devices.mp4
026_3-2-4-More-challenges-and-opportunities-ahead.mp4
027_3-2-5-1kv-GaN-power-device-and-conclusion.mp4
028_4-1-1-Introduction.mp4
029_4-1-2-The-sensitive-areas-of-GaN-technology.mp4
030_4-1-3-Special-reliability-issues-in-Schottky-HEMTs.mp4
031_4-1-4-Off-state_-Dynamic-Ron-(Current-collapse).mp4
032_4-1-5-Non-monotonic-increase-of-dynamic-Ron.mp4
033_4-1-6-Buffer-time-dependent-breakdown.mp4
034_4-1-7-Hard-switch-stress.mp4
035_4-2-1-Defect-analysis-in-GaN-devices.mp4
036_4-2-2-Drain-current-deep-level-transient-spectroscopy-(I-DLTS).mp4
037_4-3-How-to-qualify-GaN-power-devices,-and-Summary.mp4
038_5-1-1-Introduction.mp4
039_5-1-2-SiC-crystal-structure.mp4
040_5-1-3-SiC-impurity-doping-and-carrier-density.mp4
041_5-1-4-SiC-drift-velocity.mp4
042_5-2-1-SiC-power-device-architecture.mp4
043_5-2-2-SiC-schottky-diode.mp4
044_5-2-3-Junction-barrier-schottky-Merged-pin-schottky-diodes.mp4
045_5-2-4-Advanced-DMOSFET-design.mp4
046_5-2-5-Advanced-UMOSFET-design.mp4
047_5-2-6-Conclusion.mp4
048_6-1-1-Introduction.mp4
049_6-1-2-Doping-in-SiC-junctions.mp4
050_6-1-3-Hot-implantation.mp4
051_6-1-4-Etching.mp4
052_6-1-5-Interface-nitridation.mp4
053_6-1-6-SiC-technology-evolution.mp4
054_6-2-1-Reliability-issues-in-SiC-power-devices.mp4
055_6-2-2-Conclusions.mp4

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